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Ayuda con Ejercicio de Semiconductores
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mpf10 Sin conexión
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Mensaje: #1
Ayuda con Ejercicio de Semiconductores Ejercicios Dispositivos Electrónicos
Hol
(Este mensaje fue modificado por última vez en: 22-04-2015 21:13 por mpf10.)
30-05-2014 17:47
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Maik Sin conexión
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Mensaje: #2
RE: Ayuda con Ejercicio de Semiconductores
off: cual es tu profe?

MODS
[Imagen: 2r5t075.jpg]
30-05-2014 18:51
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mpf10 Sin conexión
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Mensaje: #3
RE: Ayuda con Ejercicio de Semiconductores
(30-05-2014 18:51)Maik escribió:  off: cual es tu profe?

Hola. No creo que lo conozcas, soy de Mendoza
31-05-2014 21:15
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Mensaje: #4
RE: Ayuda con Ejercicio de Semiconductores
Quizás tire cualquiera, pero si se dopa con donores... \[n_0\approx N_d\] y en los minoritarios\[p_0\approx \frac{n_i^2}{n_0}\]?

(en caso de aceptores, al revés)
31-05-2014 21:26
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matyary Sin conexión
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Mensaje: #5
RE: Ayuda con Ejercicio de Semiconductores
(30-05-2014 17:47)mpf10 escribió:  Primero la concentracion intrinseca de germanio a una temperatura distinta de 300°K , segun un libro tiene una formula que es \[1,76x10^{16}. T^{\frac{3}{2}}.e^{\frac{-4550}{T}}\] . Esto es correcto???
No del todo correcto. Al menos yo, lo planteo con una mínima variación a lo que vos decís:
\[1,466x10^{16}. T^{\frac{3}{2}}.e^{\frac{-E_g}{2kT}}\]


Cita:Y mi otra duda es como es la formula para calcular los portadores, (Disculpen la ignorancia realmente mi profesor es un desastre)
Luego continuás planteando:

\[\frac{nº_{atomos}_{Sb}}{m_{Sb}}=\frac{N_{av}}{P_{at}_{Sb}}\]
Donde todo estos representa, nro. de átomos de Sb, masa de Sb, nro. de Avogadro y peso atómico de Sb. Estos últimos dos los buscás en una table que te proporcionan en la materia. La cantidad de átomos es dato, despejás y calculás la masa.

Después planteás la típica y conocida ecuación:
\[V=\frac{m_{Sb}}{d_{Si}}\]
La masa la obtuviste recién, la densidad del silicio la obtenés por tabla.. calculás el volúmen.

Como el Sb tiene 5 electrones de valencia, se trata de una impureza donora. Calculás N_d:
\[N_d=nº_{atomos}_{Sb} x V\]

Supongo que sabés como seguir.
Saludos!thumbup3

\[\sqrt{-1} \;\; 2^3 \;\; \sum \;\; \pi\]
... and it was good!


Mi web: Von Hexlein
01-06-2014 19:21
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mpf10 (10-06-2014)
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Mensaje: #6
RE: Ayuda con Ejercicio de Semiconductores
(01-06-2014 19:21)matyary escribió:  
(30-05-2014 17:47)mpf10 escribió:  Primero la concentracion intrinseca de germanio a una temperatura distinta de 300°K , segun un libro tiene una formula que es \[1,76x10^{16}. T^{\frac{3}{2}}.e^{\frac{-4550}{T}}\] . Esto es correcto???
No del todo correcto. Al menos yo, lo planteo con una mínima variación a lo que vos decís:
\[1,466x10^{16}. T^{\frac{3}{2}}.e^{\frac{-E_g}{2kT}}\]


Cita:Y mi otra duda es como es la formula para calcular los portadores, (Disculpen la ignorancia realmente mi profesor es un desastre)
Luego continuás planteando:

\[\frac{nº_{atomos}_{Sb}}{m_{Sb}}=\frac{N_{av}}{P_{at}_{Sb}}\]
Donde todo estos representa, nro. de átomos de Sb, masa de Sb, nro. de Avogadro y peso atómico de Sb. Estos últimos dos los buscás en una table que te proporcionan en la materia. La cantidad de átomos es dato, despejás y calculás la masa.

Después planteás la típica y conocida ecuación:
\[V=\frac{m_{Sb}}{d_{Si}}\]
La masa la obtuviste recién, la densidad del silicio la obtenés por tabla.. calculás el volúmen.

Como el Sb tiene 5 electrones de valencia, se trata de una impureza donora. Calculás N_d:
\[N_d=nº_{atomos}_{Sb} x V\]

Supongo que sabés como seguir.
Saludos!thumbup3


muchas gracias! me ayudaste mucho
10-06-2014 16:25
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matyary Sin conexión
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Mensaje: #7
RE: Ayuda con Ejercicio de Semiconductores
De nada thumbup3
Revisando, me di cuenta que hay un error en lo planteado, lo corrijo abajo:

(01-06-2014 19:21)matyary escribió:  Como el Sb tiene 5 electrones de valencia, se trata de una impureza donora. Calculás N_d:
\[N_d=\frac{nº_{atomos}_{Sb}}{ V}\]

No es un producto como puse en un principio, es una relación.

\[\sqrt{-1} \;\; 2^3 \;\; \sum \;\; \pi\]
... and it was good!


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10-06-2014 16:54
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