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[APORTE] Parciales y coloquio Zuasquita
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Phi124 Sin conexión
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Ing. Electrónica
Facultad Regional Buenos Aires

Mensajes: 17
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Registro en: Dec 2016
Mensaje: #1
[APORTE] Parciales y coloquio Zuasquita Parciales Dispositivos Electrónicos
PRIMER PARCIAL
1. Inyección de portadores minoritarios en un conducto. Analizar la recombinación de los excesos de portadores al desaparecer la causa que los originan. Obtener y definir el tiempo de recombinación.
2. Obtener la expresión de la capacidad de juntura de un diodo PN de juntura abrupta. Grafica la variación y analizar su importancia relativa frente a la capacidad de difusión con la tensión de polarización.
RECUPERATORIO DEL PRIMER PARCIAL
1. Obtenga la expresion de la conductividad de un semiconductor, graficar y analizar la variacion con la temperatura respecto a la movilidad y la concentracion de portadores.
2. Deducir la expresion de la corriente en una juntura PN (ecuacion del diodo). Graficar la curva caracteristica y representar sobre esta la resistencia dinamica y estatica.
SEGUNDO PARCIAL
1. TBJ: Analizar el funcionamiento físico de un transistor polarizado en modo activo, indicando todas las corrientes internas y obtener la expresión de corriente del colector en función de la tensión emisor-base
2. Analizar y graficar la curva CV y diagramas de carga de la juntura MOS ideal en el modo de inversion, para alta y baja frecuencia.
RECUPERATORIO DEL SEGUNDO PARCIAL
1. Efectuar el analisis electroestatico ( ro(x) , E(x) y phi(x)) de una juntura MOS ideal en el modo de inversion.
2. Graficar la estructura de un MOSFET de canal N con Vg>Vth y:
- Vd = 0
- 0 < Vd < Vd sat
- Vd = Vd sat
- Vd > Vd sat
COLOQUIO PROMOCION
1. Semiconductores: indicar la expresion de la conductividad electrica de un semiconductor extrinseco y graficar su variacion con la temperatura junto con la movilidad y la concentracion de portadores
2.Juntura PN - Graficar el diagrama de corriente de una juntura PN ideal, de una reali y explicar la diferencia.
3. TBJ - Graficar los diagramas de concentracion de portadores y energia de un transistor NPN en modo activo.
4. JUNTURA MOS REAL: Que efecto tiene la diferencia de funciones trabajo entre el metal y el semiconductor y cuales podrian ser las consecuencias en un MOSFET?
5. MOSFET. Explicar porque la corriente de drenaje de un MOSFET ideal se satura luego del estrangulamiento.
6. INVERSOR CMOS. Graficar como varia la tension de salida (V0) de un inversor CMOS en respuesta a un escalon de entrada que pasa de bajo a alto. Indicar la expresion del tiempo de conmutacion TAU-n.
SEGUNDO COLOQUIO PROMOCION
1. Semiconductores: la mitad de una barra semiconductora es iluminada uniformemente y la otra mitad permanece en equilibrio termico.
a. Existe algun tipo de corriente?
b. En caso de afirmativo, indicar cuales son.
c. Escriba las expresiones de las mismas
2. JUNTURA PN. Obtenga la expresion del potencial de contacto de una juntura abrupta.
3. TBJ. Grafique el modelo de Giacoletto completo, los modelos simplificados para frecuencias bajas, medias y altas. Indicar la expresion de las frecuencias que limitan estas bandas de frecuencias.
4. JUNTURA MOS REAL. Excriba la expresion de la tension de umbral referida a la correspondiente de una juntura MOS ideal e indique a que se debe cada termino.
5. MOSFET. Obtenga el circuito equivalente de pequena senal de un MOSFET de canal inducido P para alta y baja frecuencia y exprese que es la maxima frecuencia de operacion.
6. EFECTOS DE CANAL CORTO: Que es el efecto avalancha, como se manifesta en las curvas caracteristicas y como puede reducirse?
05-08-2020 21:06
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