UTNianos

Era justamente lo que estaba pensando (?). jajaja na mentira, mis fundamentos son totalmente distintos jaja

y si no tenes idea gonsha xD

(06-08-2013 13:50)Maik escribió: [ -> ]y si no tenes idea gonsha xD

y como que no la curse todavia capo.

(06-08-2013 14:33)Gonsha escribió: [ -> ]

(06-08-2013 13:50)Maik escribió: [ -> ]y si no tenes idea gonsha xD

y como que no la curse todavia capo.

ante la duda abstente, si no queres quedar como un boludo.

(06-08-2013 14:59)Maik escribió: [ -> ]ante la duda abstente, si no queres quedar como un boludo.

Ta ta.

Bueno vengo a contar mi experiencia: Di el final hoy, nos dio varios papelitos para que eligiéramos (nuevamente los mas amarillos eran los mas viejos y ahora los podías elegir o no jaja) yo agarre sin mirar la verdad.
Me toco deducción de la corriente en el diodo en directa e inversa, distribución de las corrientes en la pastilla para un diodo ideal y para un diodo con recombinación en la zce. Hice el desarrollo en la hoja, lo llame y defendí el tema, me hizo dos preguntas: 1°) Como se explica el origen de la corriente inversa del diodo?, 2°) Que diodo "no convencional" aprovecha esto? Respondí las dos bien y me anotó otro tema en una hoja, era "efecto de las cargas en el oxido y las trampas de interfaz en una estructura MOS".
Hice el desarrollo de nuevo y me preguntó algunas cosas que recuerde: 1) Como se hacía para disminuir el efecto de los iones móviles en el óxido?2)Que consecuencias negativas traían en un mosfet las trampas de interface y las cargas en el óxido?. De esta ultima cuando le dije que modificaban Vt me llevo a esta: 3) Como se puede ajustar Vt? que métodos hay y explicar cada uno. Respondí todo bien y me lleve un 10 a casa!.

Mi recomendación para los que vayan a rendir en las fechas siguientes: Vayan sin miedo, preparen muy bien lo que es MOS, MOSFET (canal largo y corto) y hasta CMOS pero sin descuidar la primera parte de diodos y TBJ por que también lo toman!
Esta vez el primer tema era eliminatorio, sino tenías idea del primero a casa (o al menos eso decían los profesores, quizá fueron más flexibles con los que no pudieron con el primer tema).

10 , hdp.

Un 10, zarpado.
Muchas gracias por compartir lo que tomaron!

En algun momento me va a servir...
_____________

Vos dejaste la carrera con esta materia no Maik?
jajaj. Algo asi me habias contado.
Yo estoy al borde de recursarla, asi que no es un mal momento para pensar en volver a sonido (?

jajajaj tranka chabon 10 !! Felicitaciones!!!

Off-topic:

Jjaja. Que garron, aun hoy sigue siendo un poco volada la materia.
Las simulaciones con spice son algo bastante copado, y el tema de que den todo esto aplicado al entorno de circuitos..
Hay otras cosas a las que no les encuentro aplicacion, pero supongo que "hay" que saberlas.

Y ya que lo decis, supongo que en todo lo que es hi-fi debe estar de alguna forma relacionado con todo lo que se ve aca.

En alguna regional vi que siguen estando esas dos electivas que decis... Sino en la uba hay toda una especializacion de electronica que tira para ese lado (el coordinador de ing. en sonido hizo eso )

_________________________________________________

Vi que ya comentaron bastante, asi que meti todas las "experiencias" aca: https://docs.google.com/document/d/14EYp...OFY6k/edit

Para tenerlas todas juntas y que no se pierdan en el thread.
Lo dejo en el primer post

Hola, como va! Vengo a contar mi experiencia, di el final este jueves, era la ultima mesa de diciembre.
La verdad fui con algunos temas un poco flojos, como inversor CMOS. Al margen de eso me presente porque considero que es una materia que es muy difícil estudiarla solo, cuando pasaron dos o tres meses después de haberla cursado. O al menos eso aparenta.

Me tomo mi profesor, Suazquita, me dio a elegir entre varios papeles, elegí uno de los más viejos porque la parte de tbj y diodos la tenía bastante clara ya que recupere el primer parcial una semana antes. Me toco diagramas de carga, perfiles de contaminación, campo, potencial y energía de una juntura PN abrupta en equilibrio térmico, directa e inversa, sumado a eso preguntaba porque el nivel de Fermi se quebrada cuando estoy fuera del equilibrio térmico.

Hice todos los gráficos, y estaba bastante nervioso, se sentó y me pregunto algunas cosas.. Porque se forma el potencia de contacto, era eso de explicar la difusión y lo de las cargas fijas que llegan al equilibrio, en esta parte metí un poco la gamba queriendo hablar de concentraciones diluidas en las bandas, y esas yerbas de proba.. Por suerte después la safe, explicando los gráficos.

Término de explicar ese tema y me dijo que le haga un cuadro con las diferencias entre un Mos ideal y uno real, lo explique y también me descolocó en una pregunta, creo que era sobre las cargas en el óxido, más allá de eso se las explique todas y que efectos tenían.
Término y me hizo ponerle el nombre a las hojas y me puso un seis.

Creo que fue una buena experiencia, me hubiese gustado prepararla con un poco más de tiempo. Como consejo, vayan seguros, y no digan cosas que no estén seguros de que después venga un "y porque pasa eso?" que no sepan responder, si tuviera que rendirlo de nuevo, ensayaria explicar el porque de cada proceso, más que las fórmulas y definiciones estrictas. Espero que le sirva a los que lo tienen que rendir! Saludos!

Enviado desde mi XT910 usando Tapatalk 4

Vengo a dejar mi experiencia ya que me sirvio la de ustedes.
Me toco papelito MOSFET de canal n curvas de salida y transferencia y circuitos equivalentes de alterna.
Fiel a mi constumbre del MOSFET tenia mas flojo lo de las curvas...
Me arremangue y llame... Vino Palumbo. (la curse con Sanguinetti)
Casi mal lo del MOSFET, me paseo por todos lados, hasta por juntura MOS.
Como estaba mal me dijo: los 3 puntos mas importantes son MOS, Diodo y TBJ, asi que explicame como funciona el diodo y el TBJ para aprobar...
En fin, me paseo por toda la materia, pero mis nervios no daban mas, contestaba cualquier cosa sin pensar, me paraba y decia pensalo tranqui, me explicaba y aprendi bastante... pero por adentro sabia que no aprobaba ni en pedo...
Despues de 1 hora y 40min me dice: estas para un 4 o 5, que te parece? 5? A lo que le conteste: yo no me aprobaria... Y me dice, sabes...
En fin mi experiencia fue, vallan tranquilisimos, no es nada grave, si yo la pude remontar la aprueba cualquiera que aya estudiado lo necesario para un final. Si tienen mas suerte que yo y les toca un tema que saben de taquito aprueban y con buena nota.
No estoy feliz con mi desempeño pero ya me saque el muerto de encima!!!

Bueno gente!
Despues de haberme podido sacar este peso de encima vengo a contar mi experiencia.
El 1/10/14 (el dia de mi cumpleaños) di el final de Dispositivos (despues de 3 años de tenerle miedo).

Lo que me toco:
- Pirmer tema: Explique el funcionamiento del inversor CMOS
- Segundo tema: Punch trougth y Avalancha en Transistor CMOS
- Pregunta final: BIDL

Bueno la verdad es q a los capitulos finales les habia dado casi nada de bola. Pero el circuito del inversor lo habia visto asiq lo supe dibujar. En cuanto a la explicacion es facil deducirla (Uno "satura" el otro "corta"), ahora despues del funcionamiento me pregunto que significa pull-up, pull-down, margen de ruido,que es el rise time y el pull-up time. Esta ultima no la sabia asiq me la explico el. Por las demas son identicas al TR bipolar.


Punch trougth y Avalancha
Estos los sabia perfecto porque, dentro de lo que es la materia, era una de las cosas q mas me interesa. Ahora despues de explicarle que pasa cuando el campo se acerca demasiado y se produce esa "pseudo-base" me pregunta como reducir el efecto. Como no sabia como era, le explique que podia contaminar mas el sustrato y eso lo reducia pero me traia otro problemas. El termino cerrando diciendo que habia q hacer implantacion ionica.
Con avalancha lo mismo. Le hago los dibujitos, le explico que pasa con la resistencia que sube la tension, mas corriente, mas avalancha, realimentacion positiva, etc, etc. De nuevo la misma pregunta. Como lo mitigo. En esta no le chamulle y le dije q no tenia ni idea. Me explico lo que es el Drain Low Doped, o algo asi, que es como poner una isla de menor contaminacion al lado del drain para que no se produzca tanta avalancha.

Cuando terminamos me dice q estoy ahi que por ser mi cumpleaños me da una pregunta mas. Asiq me dice DIBL, que de nuevo la sabia perfecto.
No termino de dibujarle los diagramas de energia que me dice ya esta, terminaste, te pongo un 7. Obviamente me nege rotundamente, yo queria un 10(??????)

Asi fue mi experiencia de examen.

Ahora los que no se animan:
Vallan, juegensela! El final no es ni ahi todo lo que ellos te dicen que es.
Obviamente no podes ir en pelotas! Pero tampoco tenes que ser un diseñador de VLSI. Tenes que tener los conceptos mas o menos bien. No es que podes ir con un popurri. Pero tampoco saberte la carpeta de memoria. Yo le habre dedicado 5 dias a full de estudio, o sea 120hs estudiando unicamente dispo, la venia preparando hace 1 mes o mas.
Adelante mio habia un flaco que no sabia las curvas del capacitor MOS y le pegaron alto baile, asi no vallan. Sepan algo de todo antes que todo de 1 solo tema. Los mismos tipos te dicen que prefieren eso a que seas un especialista de diodo.
La prepare con mi carpeta (curse con Sangui), la carpeta de alguien que la subio a internet (Muy muy muy buen material, la parte de bipolar esta sumamente incompleta pero todo lo demas es un lujo!) y alguna que otra consulta al Selva.
Repito VAYAN no se asusten, hay finales peores, se que lo digo desde este otro lado ahora, pero posta no es para tanto!
Ah y muchachos no vi a NADIE PERO NADIE que supiera Giacolleto o Ebers Moll. A mi si me tocaba ese tema me paraba y me iba.

Espero que sirva y cualquier cosa avisen que comparto lo que tengo.
Saludos

Felicitaciones loco!

Quien te tomo?