UTNianos

Pedi por Sangui. Ya lo conocia asique me jugue con el.

El papelito que me tocó era ligeramente diferente al de Stille: deducción de la corriente del diodo, gráfico de la curva caracterísitica, resistencia estática y dinámica. Me preguntó por qué la corriente del diodo se podía calcular como dos corrientes de difusiones (por la hipótesis de que no hay generación ni recombinación en la zona de vaciamiento, permanecen constantes las corrientes y puedo elegir cualquier plano en esa zona tal que la corriente total sea la suma de las dos); qué es la corriente de saturación inversa, respecto de qué parámetros varía, cómo influye la temperatura en ésta y si afecta en directa; de resistencia dinámica qué representan y cómo se calculan (analítica y gráficamente).

Dsp para redondear me preguntó por diferencias entre MOS real e ideal y explicar un poco sobre los fenómenos que cambiaban el Vt (cargas fijas, móviles, diferencia de func. trabajo, etc.)

Hoy fui a rendir, y volví a casa con un 6

Me sirvieron muchísimo sus experiencias chicos!. El papelito que me tocó fue Diodo PN, curva I-V característica y demostración de la formula. Resistencias dinámica y estática (para mi sorpresa un papelito nuevo).

Eramos muy pocos rindiendo (5 o 6). Escribí una hoja y media, me trabe en un despeje, y se acerco el profesor para tomarme y de paso chusmear. Era Daniel Rus. Le explique las bases del funcionamiento del diodo, lo que quise hacer en el formuleo y le mostre donde me trabe, explicando lo que me faltaba hacer. Después de eso, todo lo que me pregunto fue de MOSFET (funcionamiento cualitativo, curvas de salida y transferencia, estrangulamiento del canal...las condiciones bajo este estado ---> La carga en el canal es 0 cuando estamos parados en el Drain, etc etc). Me hizo confundir un poco en un momento pero me tome mi tiempo para responder, un tipo muy sereno, no me apuró en ningún momento

Ayer rendí el final de dispo (18/02/2016). Me tomó Sanguinetti.

- Ecuación del diodo, gráfico, corriente de saturación inversa, resistencia estática y dinámica. ¿Cómo es la corriente total del diodo real vs el ideal? Diodo tunel.

- Mosfet canal corto, efecto punch throught y avalancha. Como se arregla se puede solucionar cada uno.

Me saqué ocho.

Por lo que escuché al lado mío, les preguntaban de todo y los paseaban por toda la materia, pero hacían especial incapié en la parte de Mosfet.

Hola a todos, estuve leyendo las experiencias y pensaba dar el jueves que viene.
Lo que me llama la atención que a ninguno le toco demostrar funciones de distribución (M-B) o las ecuaciones de recombinación o las ecuaciones de las junturas ni Fermi (ecuacion), eso es así? porque la realidad es que estoy estudiando conceptualmente y muchas de las deducciones se me escapan, se explicarlas pero puede que me trabe en el depeje y no me quede la formula final...
Para los que ya dieron, voy tranquilo con todo el conocimiento mas conceptual de junturas, diodo, tbj, mos y mosfet? o lo pateo y me estudio todo el formuleo?

En caso de ir el jueves postearé mi experiencia, pero queria saber sus recomendaciones (de como lo vieron o si alguien tuvo la desgracia irse por no saber una formula).

Gracias

(12-02-2017 19:37)Oddie12 escribió: [ -> ]Hola a todos, estuve leyendo las experiencias y pensaba dar el jueves que viene.
Lo que me llama la atención que a ninguno le toco demostrar funciones de distribución (M-B) o las ecuaciones de recombinación o las ecuaciones de las junturas ni Fermi (ecuacion), eso es así? porque la realidad es que estoy estudiando conceptualmente y muchas de las deducciones se me escapan, se explicarlas pero puede que me trabe en el depeje y no me quede la formula final...
Para los que ya dieron, voy tranquilo con todo el conocimiento mas conceptual de junturas, diodo, tbj, mos y mosfet? o lo pateo y me estudio todo el formuleo?

En caso de ir el jueves postearé mi experiencia, pero queria saber sus recomendaciones (de como lo vieron o si alguien tuvo la desgracia irse por no saber una formula).

Gracias

si, es muy comun que te tomen deducciones, por ahi no tanto la de fermi pero si las de recombinacion ,la de capacidades en un diodo, la longitud de la zona de vaciamiento y otras que no me acuerdo. Pero te pueden tomar cualquier demostracion de las que se dan en clase

TBJ - Caracteristicas constructivas, funcionamiento... y Deducir IC
MOSFET - Caract. constructivas, funcionamiento (curva de salida)
MOS - Curva CV teniendo en cuenta la frecuencia.