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AYUDA: EJ DISPO - ESTRUCTURA MOS NO IDEAL
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Kira90 Sin conexión
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Mensaje: #1
AYUDA: EJ DISPO - ESTRUCTURA MOS NO IDEAL Ejercicios Dispositivos Electrónicos
Hola,

Necesito ayuda con este ej de MOS no ideal... Dice:

Dado un sistema MOS con \[x_{ox}=200\AA \] construido en base a un sustrato tipo P con una concentración de \[N_A= 5\cdot 10^{16}} cm^{-3}\] y metal de compuerta \[A_l\]:

Calcular el campo eléctrico en el óxido y la carga por unidad de área del sustrato para \[V_{GS}=-2.5V\].

Mi mayor dificultad es calcular el \[\phi_s\] (diferencia de potencial en la interfaz óxido-sustrato. Al estar en inversión debería ser negativa, no?
22-11-2014 20:58
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Santi Aguito Sin conexión
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Mensaje: #2
RE: AYUDA: EJ DISPO - ESTRUCTURA MOS NO IDEAL
Hola Kira90

Fijate que no esta en inversión. Es una estructura MOS no ideal, sustrato P. Como le estas aplicando una tensión negativa, estás en acumulación.

Busca la excelencia, el éxito llegará
22-11-2014 21:31
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Kira90 Sin conexión
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Mensaje: #3
RE: AYUDA: EJ DISPO - ESTRUCTURA MOS NO IDEAL
Perdón, sí sí, quise decir acumulación. Incluso supera a la tensión de flatband
(Este mensaje fue modificado por última vez en: 22-11-2014 21:33 por Kira90.)
22-11-2014 21:32
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Santi Aguito Sin conexión
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Mensaje: #4
RE: AYUDA: EJ DISPO - ESTRUCTURA MOS NO IDEAL
Para sacar el potencial en la interfaz (el cual representa la curvatura de las bandas), solo hay que recordar que:

Para MOS Ideal

Se cumple que la función trabajo del metal es la misma que la del semiconductor. Entonces la tensión de flat-band es cero.

Para MOS no ideal

Las funciones trabajo no son iguales, por lo que para tener condición de flat-band vas a tener que aplicar una tensión igual a la diferencia de esas funciones trabajo.

\[V_{FB}=\phi _{ms}\]

Por último, en este caso (MOS no ideal), la tensión aplicada en el gate se distribuye de la siguiente manera.

\[V_{G}=\phi _{ms}+\phi _{s}+V_{ox}\]

Busca la excelencia, el éxito llegará
22-11-2014 21:40
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Kira90 Sin conexión
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Mensaje: #5
RE: AYUDA: EJ DISPO - ESTRUCTURA MOS NO IDEAL
Hasta ahí voy perfecto, pero el problema lo tengo con el \[\phi_s\].

Si es sustrato tipo P, está bien decír que \[\phi_s >0\]? (ya que las curvas se "curvan" hacia arriba).

Utilizaría la fórmula de:

\[V_G=V_{FB}+\phi_S-\frac{\sqrt{2\epsilon_{si}qN_A\phi_S}}{C'_{ox}}\]

pero no me da ningún valor razonable al resolver la cuadrática.


Gracias igual

EDIT: había puesto cualquier cosa en la fórmula.
(Este mensaje fue modificado por última vez en: 27-11-2014 08:48 por Kira90.)
22-11-2014 21:49
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pdelt3 Sin conexión
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Mensaje: #6
RE: AYUDA: EJ DISPO - ESTRUCTURA MOS NO IDEAL
Me parece que tenes que calcular el Nd y tratarlo como si fuera Sustrato N porque en Acumulación todas las curvas son al revéz, la \[\varphi_{s}\] te va a dar NEGATIVA y debería ser MUY chica porque tiene que haber muy pocos Nd
27-11-2014 02:05
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[-] pdelt3 recibio 1 Gracias por este post
Kira90 (27-11-2014)
Kira90 Sin conexión
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Mensaje: #7
RE: AYUDA: EJ DISPO - ESTRUCTURA MOS NO IDEAL
Joya, gracias,

al final creeo que me dio (error de redondeo) como lo panteé antes, pero no estaba seguro si era correcto que el \[\phi_S<0\]
27-11-2014 08:50
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Santi Aguito Sin conexión
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Mensaje: #8
RE: AYUDA: EJ DISPO - ESTRUCTURA MOS NO IDEAL
Tenés la guía con las respuestas kira?

Busca la excelencia, el éxito llegará
27-11-2014 10:25
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pdelt3 Sin conexión
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Mensaje: #9
RE: AYUDA: EJ DISPO - ESTRUCTURA MOS NO IDEAL
En fotocopiadora está la guía esa con los resultados:

b) Eox=-7.95*10^5 V/cm Qsus=2.76*10^-7 C/cm^2
c) W=1.427*10^-5cm Qsus=-2.49*10^-7 C/cm^2
d) Eox=1.7*10^6 V/cm Qsus=-5.88*10^-7 C/cm^2
27-11-2014 11:22
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